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全球首个22纳米节点静态存储单元研制成功

gecimao 发表于 2019-06-10 12:53 | 查看: | 回复:

  美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布,世界上首个22纳米节点静态存储单元(SRAM)研制成功

  美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布,世界上首个22纳米节点静态存储单元(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下,制造出有效存储单元。

  22纳米节点静态存储单元SRAM芯片是更复杂的设备,比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计,仅占0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。

  新的研究工作是在纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)完成的,IBM及其他伙伴的许多顶尖的半导体研究都在这里进行。IBM科技研发部副总裁T.C. Chen博士称,“我们正在可能性的终极边缘进行研究,朝着先进的下一代半导体技术前进。22纳米节点静态存储单元的研究成果对于不断驱动微电子设备小型化的追求,可以说至关重要。”

  22纳米是芯片制造的下两代,而下一代是32纳米。在这方面,IBM及合作伙伴正在发展它们无与伦比的32纳米高K金属栅极工艺(high-K metal gate technology)。

  从传统上而言,22纳米节点静态存储单元SRAM芯片通过缩小基本构建单元,来制造得更加紧密。IBM联盟的研究人员优化了SRAM单元的设计和电路图,从而提升了稳定性,此外,为了制造新型SRAM单元,他们还开发出几种新的制作工艺流程。研究人员利用高NA浸没式光刻(high-NA immersion lithography)技术刻出了模式维度和密度,并且在先进的300毫米半导体研究环境中制作了相关部件。

  与22纳米节点静态存储单元SRAM相关的关键技术包括:边带高K金属栅极、25纳米栅极长度晶体管、超薄隔离结构(spacer)、共同掺杂、先进激活技术、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。

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