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静态RAM基本存储电路

gecimao 发表于 2019-08-13 20:56 | 查看: | 回复:

  这个是静态RAM的基本存储单元,A和B的电压是反相的。如A是高T2开通;B是低T1截止。但是我不明白在T3和T4之间的连接线(就是我画红线的那一段),电压是怎么回事,Vcc是电源,提供高压...

  这个 是静态RAM的基本存储单元 ,A和B的电压是反相的。 如A是高 T2开通 ; B是低 T1 截止 。

  但是我不明白在 T3和T4之间 的连接线(就是我画红线的那一段), 电压是怎么回事, Vcc是电源 ,提供高压 ,T3,T4 导通, 从T3,T4来的电压应是相反的吧,怎么形成稳态的 。网上说是两个增强型的NMOS反相器构成 , 我就是不明白的。

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  那个T3,T4是有源负载,相当于电阻,T3是T1的负载电阻,T4是T2的负载电阻,都是导通的,为T1,T2提供漏极电压的。而真正导通和截止形成反相的,有两个稳定状态的是T1,T2。因为在集成电路内部不方便做电阻,所以,就用这种电路做电阻了。

  知道合伙人教育行家采纳数:30798获赞数:2737502010年本科毕业于安徽工业大学高分子材料与工程专业,并取得工科学士学位证书。向TA提问展开全部那个T3,T4是有源负载,相当于电阻,T3是T1的负载电阻,T4是T2的负载电阻,都是导通的,为T1,T2提供漏极电压的。而真正导通和截止形成反相的,有两个稳定状态的是T1,T2。因为在集成电路内部不方便做电阻,所以,就用这种电路做电阻了。

  存储器是计算机的记忆部件。CPU 要执行的程序、要处理的数据、处理的中间结果等都存放在存储器中。

  目前微机的存储器几乎全部采用半导体存储器。存储容量和存取时间是存储器的两项重要指标,它们反映了存储记忆信息的多少与工作速度的快慢。半导体存储器根据应用可分为读写存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。

  读写存储器又称随机存取存储器(Random Access Memory)简称RAM,它能够在存储器中任意指定的地方随时写入或读出信息;当电源掉电时,RAM 里的内容即消失。根据存储单元的工作原理,RAM 又分为静态RAM 和动态RAM。静态RAM 用触发器作为存储单元存放1 和0,存取速度快,只要不掉电即可持续保持内容不变。一般静态RAM 的集成度较低,成本较高。

  动态RAM 的基本存储电路为带驱动晶体管的电容。电容上有无电荷状态被视为逻辑1 和0。随着时间的推移,电容上的电荷会逐渐减少,为保持其内容必须周期性地对其进行刷新(对电容充电)以维持其中所存的数据,所以在硬件系统中也得设置相应的刷新电路来完成动态RAM 的刷新,这样一来无疑增加了硬件系统的复杂程度,因此在单片机应用系统中一般不使用动态RAM。静态RAM 的基本存储电路为触发器,每个触发器存放一位二进制信息,由若干个触发器组成

  一个存储单元,再由若干存储单元组成存储器矩阵,加上地址译码器和读/写控制电路就组成静态RAM。与动态RAM 相比,静态RAM 无须考虑保持数据而设置的

  刷新电路,故扩展电路较简单。但由于静态RAM 是通过有源电路来保持存储器中的数据,因此,要消耗较多功率,价格也较高。

  RAM 内容的存取是以字节为单位的,为了区别各个不同的字节,将每个字节的存储单元赋予一4个编号,该编号就称为这个存储单元的地址,存储单元是存储的最基本单位,不同的单元有不同的地址。在进行读写操作时,可以按照地址访问某个单—元。

  由于集成度的限制,目前单片RAM 容量很有限,对于一个大容量的存储系统,往往需要若干RAM 组成,而读/写操作时,通常仅操作其中一片(或几片),这就存在一个片选问题。RAM 芯片上特设了一条片选信号线,在片选信号线上加入有效电平,芯片即被选中,可进行读/写操作,末被选中的芯片不工作。片选信号仅解决芯片是否工作的问题,而芯片执行读还是写则还需有一根读写信号线,所以芯片上必须设读/写控制线。

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